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BCR10中文资料NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit/ inverter/ interface circuit/ drive circuit)数据手册Infineon规格书

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厂商型号	BCR10
参数属性	BCR10 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
功能描述	NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array (Switching circuit/ inverter/ interface circuit/ drive circuit) TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Infineon Infineon Technologies AG
中文名称	英飞凌英飞凌科技股份公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-26 19:24:00
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BCR10规格书详情

简介

BCR10属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由制造生产的BCR10晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

技术参数

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产品编号：
BCR108E6327HTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
PG-SOT23
描述：
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

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