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BCP56-16T-Q

Marking:P5616T;Package:SC-73;80 V, 1 A NPN medium power transistors

Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BCP56-16T3G

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

BCP56-16TF

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

BCP56-16T-QF

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A SOT223

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

详细参数

  • 型号:

    BCP56-16T

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 1A 100V NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT-223
120000
原装正品 可含税交易
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更多BCP56-16T供应商 更新时间2025-5-19 17:24:00