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BCP54-16Q	文件：239.12 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BCP54/16；Package：SOT223；45 V, 1 A NPN medium power transistors 1. General description NPN medium power transistors in a SOT223 (SC-73) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according 文件：239.12 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54-16Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率三极管	YJ 益嘉源	YJ
BCP54-16T	文件：273.44 Kbytes Page：14 Pages	45 V, 1 A PNP medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：273.44 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCP54-16T	文件：274.29 Kbytes Page：14 Pages	45 V, 1 A NPN medium power transistors Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified 文件：274.29 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCX54-16	文件：48.8 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors ● For AF driver and output stages ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BCX51...BCX53 (PNP) 文件：48.8 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Type：
NPN
PCM(mW)：
1.5
IC(mA)：
1
BVCBO(V)：
45
BVCEO(V)：
45
BVEBO(V)：
5
HFE_Min：
100
HFE_Max：
250
Vce(V)：
2
Ic(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
0.5
IC(A)：
0.5
IB(A)：
0.05
Ft(MHz)：
100
PPAP：
Y
Status：
Active

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浙江永芯科技有限公司	BCP54-16Q	YANGJIE	24+	SOT-223	50000	原厂直销全新原装正品现货欢迎选购	询价
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更多BCP54-16Q供应商更新时间2026-1-30 8:51:00

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