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BCP53-16T1G

PNP Silicon Epitaxial Transistors

This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT−223 package which is designed for medium power surface mount applications. • High Current • NPN Complement is BCP56 • The SOT−223 Package can be soldered using wave or refl

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ONSEMI

安森美半导体

BCP53-16T1G

PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT

This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT−223 package which is designed for medium power surface mount applications. • High Current • NPN Complement is BCP56 • The SOT−223 Package can be soldered using wave or refl

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安森美半导体

BCP53-16T1G

PNP Silicon Epitaxial Transistors

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安森美半导体

BCP53-16T1G

PNP Silicon Epitaxial Transistors

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安森美半导体

BCP53-16T1G

三极管

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安森美半导体

BCP53-16T1G

Package:TO-261-4,TO-261AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 1.5A SOT223

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安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    BCP53-16T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1.5A SOT223

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更多BCP53-16T1供应商 更新时间2026-2-4 21:09:00