| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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onsemi/安森美SOT223 |
6500 |
20+ |
全新进口原装现货 |
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2年
留言
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ONSOT-223 |
5000 |
24+ |
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈! |
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3年
留言
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ON(安森美)N/A |
140865 |
25+ |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 20V PNP |
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15年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-223 |
41711 |
25+ |
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NEXPERIA/安世全新特价BCP69-25,115即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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ONSEMI/安森美SOT223 |
15620 |
25+ |
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ONSEMI/安森美全新特价BCP69T1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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Nexperia(安世)爆款原装 |
25607 |
25+ |
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Nexperia(安世)爆款特价现货BCP56-16TX即刻询购立享优惠#长期有订 |
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11年
留言
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ONSOT223 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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2年
留言
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NEXPERIA/安世SOT223 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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13年
留言
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ONSOT223 |
6800 |
24+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13个点增票 |
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4年
留言
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ON/安森美SOT-223 |
3200 |
25 |
原装正品 |
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5年
留言
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ONSOT223 |
22000 |
25+ |
现货来电咨询 |
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ONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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9年
留言
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CYSTECH/全宇昕SOT-223 |
360000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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ONSOT223 |
60000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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3年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT-223 |
10000 |
24+ |
只有原装 |
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13年
留言
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恩XPSOT223 |
3964 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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8年
留言
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NEXPERIA/安世SOT |
30000 |
24+ |
NEXPERIA/安世一级代理商 原装进口现货 |
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7年
留言
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ON-SEMIN/A |
1000 |
22+ |
原装正品 香港现货 |
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4年
留言
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FAIRCHILDSOT223 |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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恩XPSOT223 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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BCP56-16T1G价格
BCP56-16T1G价格:¥0.2134品牌:ON
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BCP56-16T资讯
BCP56-16T中文资料Alldatasheet PDF
更多BCP 49 E6327功能描述:达林顿晶体管 NPN Silicn Darlingtn TRANSISTOR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BCP 49 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCP 49 H6359功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCP 49 H6419功能描述:TRANS NPN DARL 60V 500MA SOT223 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
BCP 51 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCP 51 H6327功能描述:两极晶体管 - BJT AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCP 51-16 E6327功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCP 51-16 E6327XT制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BCP 51-16 E6433功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCP020T制造商:BEREX 制造商全称:BEREX 功能描述:HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION POWER FET CHIP
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
表面帖装型 (SMD)_低频或音频放大 (LF)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
40V
- 最大电流允许值:
2A
- 最大工作频率:
100MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
2SB1188,
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
- 图片代号:
H-100
- vtest:
40
- htest:
100000000
- atest:
2
- wtest:
0







































