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BF847	文件：82.04 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONRFTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BGE847BO	文件：80.31 Kbytes Page：12 Pages	Opticalreceivermodules DESCRIPTION HighdynamicrangeopticalreceiveramplifiermodulesinastandardSOT115packagewherethenon-jacketedfibrehaseithernoconnectororhasanFC/APCorSC/APCconnector. Theamplifiersupplyvoltagepinandthephotodiodebiasvoltagepinbothconnectto24V(DC). Themo	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGO847	文件：81.03 Kbytes Page：12 Pages	Opticalreceivermodules DESCRIPTION HighdynamicrangeopticalreceiveramplifiermodulesinastandardSOT115packagewherethenon-jacketedfibrehaseithernoconnectororanFC/APCoranSC/APCconnector. Theamplifiersupplyvoltagepinandthephotodiodebiasvoltagepinbothconnectto24V(DC). Themodulesh	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGY847BO	文件：55.63 Kbytes Page：8 Pages	Opticalreceivermodule DESCRIPTION HybridhighdynamicrangeopticalreceivermoduleinaSOT115Tpackage.Twoofthemodulepinsareforconnectionto24V(DC).Oneforamplifiersupplyvoltageandtheotherforthepindiodebias. Themodulecontainsamonomodeopticalinputsuitableforwavelengthsfrom1290to16	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C847X-Q	文件：226.26 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
CH847BPT	文件：216.61 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor VOLTAGE45VoltsCURRENT0.1Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION AFinputstagesanddriverapplicationonequipment. *Othe	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CH847SPT	文件：114.79 Kbytes Page：4 Pages	NPNMuti-ChipGeneralPurposeAmplifier	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CH847UPNPT	文件：107.36 Kbytes Page：3 Pages	PNP&NPNMuti-ChipGeneralPurposeTransistor VOLTAGE45VoltsCURRENT100mAmperes FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-88/SOT-363) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. TwointernalisolatedPNPandNPNtransistorsinonepackage.	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHT847BTPT	文件：225.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor VOLTAGE45VoltsCURRENT0.1Ampere FEATURE Surfacemountpackage.(SC-75/SOT-416) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION AFinputstagesanddriverapplicationonequipment. *Oth	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHT847BVPT	文件：221.22 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor VOLTAGE45VoltsCURRENT0.1Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-563) Highcurrentgain. Suitableforhighpackingdensity. Lowcolloector-emittersaturation. Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION AFinputstagesanddriverapplicationonequipment. *Oth	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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