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BC817-25	文件：714.6 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistor FEATURES •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC807(PNP)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC817-25	文件：462.17 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45VoltsPOWER225mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=500mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC817-25	文件：171.78 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●ForgeneralAFapplication. ●ComplementaryPNPtypeavailableBC807. ●Highcollectorcurrent,highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC817-25	文件：326.89 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC807) •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC817-25	文件：89.67 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC817-25	文件：355.05 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC817-25	文件：81.13 Kbytes Page：2 Pages	300mW,NPNSmallSignalTransistor FEATURES -Lowpowerloss,highcurrentcapability,lowVF -Surfacemountdevicetype -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeandRoHScomplian -PackingcodewithsuffixGmeans greencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC817-25	文件：384.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC817-25	文件：311.1 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807(PNP)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC817-25	文件：47.67 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807,BC808(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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