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BCC0880	文件：103.85 Kbytes Page：2 Pages	Double-Ended Cordsets BCCM425-M415-3A-313-PW3534-015 Basicfeatures ApplicationWeldingarea Approval/ConformityCE cULus WEEE	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫集团	Balluff
CSAD0880	文件：846.34 Kbytes Page：5 Pages	MoldingPowerChoke Outline: ▪Magneticshieldedstructure:excellentresistancetoelectroMagmeticinterference(EMI) ▪Acompositestructure,ultralowbuzznoise ▪Lowloss,highefficiency,wideapplicationfrequency ▪Lightweightdesign,savespace,suitableforhighdensitySMT Features： ▪Corematerial:All	CODACAShenzhen Codaca Electronic Co.,Ltd 科达嘉电子深圳市科达嘉电子有限公司	CODACA
CSEB0880	文件：977.12 Kbytes Page：10 Pages	MoldingPowerInductor Features： ▪Corematerial:Alloypowder ▪Coreandwindingloss: Seehttps://www.codaca.com/DesignTool_Power-Inductor-Loss- Comparison.html ▪Enviromental:RoHS,Reachcompliant,Halogenfree ▪Weight:3.45g ▪MoistureSensitivity:Level(MSL)1 (unlimitedfloorlifeat5～40℃,RH≤70relative	CODACAShenzhen Codaca Electronic Co.,Ltd 科达嘉电子深圳市科达嘉电子有限公司	CODACA
DS0880	文件：152.05 Kbytes Page：1 Pages	PINDiodeSP2T FEATURES •1-250MHz •VeryHighInterceptPoints •OneWattPowerHandling •LowInsertionLoss	DAICO DAICO Industries, Inc.	DAICO
IES-0880	文件：227.04 Kbytes Page：2 Pages	8GEManagedSwitch-40to75C,DIN-rail	LVL1 Level One	LVL1
LS-0880	文件：396.88 Kbytes Page：3 Pages	TheLS-0880SeriesareAlGaAsLEDswithpeakwavelengthof880nm.	ADVANCEDPHOTONIX Advanced Photonix, Inc.	ADVANCEDPHOTONIX
MSN0880H	文件：580.39 Kbytes Page：6 Pages	75V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MSN0880K	文件：612.59 Kbytes Page：6 Pages	75V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MSN0880M	文件：570.45 Kbytes Page：6 Pages	75V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
NT0880	文件：819.47 Kbytes Page：24 Pages	Nuvoton鰲?뫖?됮뵰??뎴	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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