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BCC034Z	文件：107.08 Kbytes Page：2 Pages	Single-Ended Cordsets Basicfeatures Approval/Conformity CE cULus EAC WEEE	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫集团	Balluff
BD034	文件：96.15 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-110V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BD034	文件：996.48 Kbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighTransitionFrequency HighCollectorCurrent	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD034	文件：80.05 Kbytes Page：1 Pages	BD034 FEATURES ●HighCurrent ●HighTransitionFrequency	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BD034	文件：866.9 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features HighVCEO,largeIC. Applications Mediumpowerapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD034L	文件：747.28 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features HighCollectorcurrent,highCollector-basevoltage. Applications Powerdissipation.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
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BD034-S	文件：80.05 Kbytes Page：1 Pages	BD034 FEATURES ●HighCurrent ●HighTransitionFrequency	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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BD034-TU	文件：996.48 Kbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighTransitionFrequency HighCollectorCurrent	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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