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BM-MARM030F	文件：6.14145 Mbytes Page：26 Pages	POWERCORD5-15PTOBARE1MBLK	bel Bel Fuse Inc.	bel
BM-MARM030M	文件：393.2 Kbytes Page：2 Pages	M12X-CodeCableAssemblies	bel Bel Fuse Inc.	bel
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BSP030	文件：109.33 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorina4-pinplasticSOT223SMDpackage. FEATURES •Highspeedswitching •Nosecondarybreakdown •Verylowon-stateresistance. APPLICATIONS •Motorandactuatordrivers •Powermanagement •Synchronizedrectification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSP030	文件：1.01398 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •AEC-Q101Qualifiedc •100RgandUISTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BSP030	文件：449.05 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology. Productavailability: BSP030inSOT223. 2.Features nTrenchMOS™technology nFastswitching nLowon-stateresistance nLogiclevelcompatible nSurfacemountpackage. 3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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