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BCC02N9

Single-Ended Cordsets

Basic features Approval/Conformity CE cULus EAC WEEE

文件:105.77 Kbytes 页数:2 Pages

BALLUFF

巴鲁夫

CED02N9

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.54046 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

CEF02N9

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.24838 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

CEP02N9

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired.

文件:397.17 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

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更多BCC02N9供应商 更新时间2026-4-10 9:01:00