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BC859S	文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC859S	文件：488.12 Kbytes Page：2 Pages	Powerdissipation,plasticcase,Weightapprox SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC859W	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC849WandBC850W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC859W	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC859W	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC859W	文件：99.08 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC859W	文件：50.33 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●ComplementstoBC849WandBC850W.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC859W	文件：278.56 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC859W	文件：91.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE30/45/65VoltsCURRENT200mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Complimentary(NPN)Devices:BC846W/BC847W/BC848W/BC849WSeries •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC859W	文件：987.34 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
BC859BTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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