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CSB858B	文件：82.34 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CSB858C	文件：82.34 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CSB858D	文件：82.34 Kbytes Page：3 Pages	PNP/NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
FDR858P	文件：261.81 Kbytes Page：8 Pages	SingleP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription TheSuperSOT-8familyofP-ChannelLogicLevelMOSFETshavebeendesignedtoprovidealowprofile,smallfootprintalternativetoindustrystandardSO-8littlefoottypeproduct. ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GBC858	文件：215.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GBC858	文件：217.57 Kbytes Page：2 Pages	TheGBC858isdesignedforswitchingandAFamplifierapplication,suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GI858	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highforwardcurrentoperation ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:2	GE GE Industrial Company	GE
GI858	文件：70.43 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI858	文件：80.86 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSBC858	文件：147.28 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

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产品属性

产品编号：
BC858CW-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC858CW-G供应商更新时间2025-5-20 18:19:00

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