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BC858CDW1T1中文资料PDF规格书

BC858CDW1T1
厂商型号

BC858CDW1T1

功能描述

Dual General Purpose Transistors

文件大小

106.29 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-17 11:21:00

BC858CDW1T1规格书详情

Dual General Purpose Transistors

PNP Duals

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications.

• Device Marking:

BC856BDW1T1 = 3B

BC857BDW1T1 = 3F

BC857CDW1T1 = 3G

BC858BDW1T1 = 3K

BC858CDW1T1 = 3L

产品属性

  • 型号:

    BC858CDW1T1

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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