BC858B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
BC858B |
| 参数属性 | BC858B 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB |
| 功能描述 | General Purpose Transistors |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 文件大小 |
922.79 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | YEASHIN |
| 中文名称 | 亚昕科技 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-10 12:29:00 |
| 人工找货 | BC858B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BC858B规格书详情
General Purpose Transistors
PNP Silicon
• Moisture Sensitivity Level: 1
• ESD Rating
– Human Body Model: >4000 V
– Machine Model: >400 V
• We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
产品属性
- 产品编号:
BC858B,215
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
220 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
恩XP |
2511 |
N/A |
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120000 |
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恩XP |
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N/A |
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