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BC857UF	文件：92.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-45V •ComplementarypairwithBC847UF	AUK AUK corp	AUK
BC857UF	文件：184.19 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=-45V •ComplementarypairwithBC847UF	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC857V	文件：518.909 Kbytes Page：6 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC857W	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857W	文件：248.77 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ForComplementaryWithNPNTypeBC846W/847W/848W	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC857W	文件：50.57 Kbytes Page：12 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaplasticSOT323package. NPNcomplements:BC846WandBC847W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.80) •S-minipackage. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857W	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857W	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857W	文件：99.08 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857W	文件：132.78 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Ideallysuitedforautomaticinsertion. ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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