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BC857CW	文件：480.83 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPSiliconTypesAvailable •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857CW	文件：449.72 Kbytes Page：5 Pages	BC856AW FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications *OperatingTemp.:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC857CW	文件：407.38 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC857CW	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857CW	文件：614.03 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC857CW	文件：866.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30hzand15kHz •Complementarytypes: BC847...-BC850...(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857CW	文件：376.64 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeSwitchingandAmplification.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC857CW	文件：125.69 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857CW	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC857CW	文件：233.44 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC857CQC-QZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BC857xQC-Q
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN1412D-3
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3

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