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BC857BDW	文件：532.51 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Twotransistorsinonepackage Reducesnumberofcomponentsandboardspace Nomutualinterferencebetweenthetransistors	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BC857BDW	文件：940.15 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亞昕科技亞昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC857BDW1T1	文件：106.29 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC856BDW1T1=3B BC857BDW1T1=3F BC857CDW1T1=3G	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857BDW1T1	文件：164.15 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BC857BDW1T1	文件：469.23 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ETL E-Tech Electronics LTD	ETL
BC857BDW1T1G	文件：178.77 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompli	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857BDW1T1G	文件：123.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857BDW1T1G	文件：88.63 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
857-SERIES	文件：263.29 Kbytes Page：3 Pages	857SeriesHighTempCardEdgeConnector\|Black\|0.156(3.96mm)Pitch\|0.200(5.08mm)RowSpacing\|LowProfileInsulator Features 0.156(3.96mm)ContactSpacingby0.200(5.08mm)RowSpacing Accepts.062(1.57mm)NominalThicknessP.C.Board LowProfileInsulatorBody,0.473(12.01mm) ContactTerminationOptionsincludeP.C.Tail,WireHole,WireWrap,90andExtenderBoardBends SingleorDualRowConfiguratio	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司	EDAC
AC857BQ	文件：433.82 Kbytes Page：7 Pages	PNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT23	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AC857BSQ	文件：316.02 Kbytes Page：5 Pages	45VDUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AC857CWQ	文件：337.98 Kbytes Page：5 Pages	45VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AN857	文件：1.0244 Mbytes Page：6 Pages	SINGLE-CELLREGULATEDQ-PUMPDRAWSLOWQUIESCENTCURRENT	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
ATF857	文件：87.58 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGTHYRISTOR	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
B857	文件：32.67 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNPTripleDiffused Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD1133and2SD1134	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BA857F	文件：375.7 Kbytes Page：3 Pages	Motorspeedandphasecontrol	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BB857	文件：13.66 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode(ForSAT-indoor-unitsHighcapacitanceratioLowseriesinductance) SiliconTuningDiode •ForSAT-indoor-units •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •ExtremelysmallplasticSMDpackage •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BB857	文件：405.59 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode SiliconTuningDiode •ForSATtuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB857	文件：881.67 Kbytes Page：8 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB857	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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详细参数

型号：
BC857BDW
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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深圳市特顺芯科技有限公司	BC857BDW	NXP	09+	SC-88SOT-363	9000		询价
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更多BC857BDW供应商更新时间2024-4-29 16:30:00

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