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BC856BRFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856BS	文件：1.38872 Mbytes Page：5 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC856BS	文件：301.77 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC856BS	文件：1.10444 Mbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposetransistor Features Lowcollectorcapacitance Lowcollector-emittersaturationvoltage Closelymatchedcurrentgain Reducesnumberofcomponentsandboardspace Nomutualinterferencebetweenthetransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BSH	文件：234.73 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BSH-Q	文件：235.84 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC856BT	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC856BT	文件：145.66 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor Preliminarydata •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC846T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856BT	文件：168.37 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyInportableequipment.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

详细参数

型号：
BC856BRFG
制造商：
TSC
制造商全称：
Taiwan Semiconductor Company, Ltd
功能描述：
250mW, PNP Small Signal Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC856BRFG供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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