选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT363 |
43048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSOT-363 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT363 |
47316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT363 |
7906200 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ONSOT363 |
13346 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT363 |
72000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
1036000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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ON/安森美21+ |
600000 |
SOT-363 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemi6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT-363-6(SC-70-6) |
7957 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT3636(SC706) |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
6100 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
30000 |
23+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ONSOT-363 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SC-88-6 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSOT-363 |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)SOT363 |
6000 |
23+ |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
6000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 |
BC856BDW1T采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC856BDW1T图片
BC856BDW1T1G价格
BC856BDW1T1G价格:¥0.1043品牌:ONSemi
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BC856BDW1T1G中文资料Alldatasheet PDF
更多BC856BDW1T1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC856BDW1T1/D功能描述:Dual General Purpose Transistors
BC856BDW1T1D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
BC856BDW1T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC856BDW1T3功能描述:两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 65V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC856BDW1T3G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2