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BC850CT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors ● For AF input stages and driver applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Low noise between 30 Hz and 15 kHz ● Complementary types: BC856T, BC857T, BC858T, BC859T, BC860T 文件：229.15 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC850CT	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN小信号三极管	CBI 创基电子	CBI
BC850CW	文件：48.43 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. PNP complements: BC859W and BC860W. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment. 文件：48.43 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC850CW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) 文件：272.32 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC850CW	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors ● For AF input stages and driver applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Low noise between 30 Hz and 15 kHz ● Complementary types: BC856W, BC857W, BC858W, BC859W, BC860W (PNP) 文件：229.84 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

ptot(W)：
0.2
IC(A)：
0.1
Vcbo(V)：
50
Vceo(V)：
45
Vebo(V)：
5
Icbo(uA)：
0.015
Icbo(V)：
30
Vce(sat)(V)：
0.6
Vce(sat)Ic(mA)：
100
Vce(sat)Ib(mA)：
5
hFE：
420-800
hFEvce(v)：
5
hFEIc(mA)：
2
ftMHz：
100
ftVce(v)：
5
ftIc/Ie(mA)：
10
PackageOutline：
SOT-523
Arrays：
BCE

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