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BC849C	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC849C	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC849C	文件：121.72 Kbytes Page：9 Pages	SMDNPNTransistor GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V,MachineModel:>400V •Epitaxialplanachipconstruction •Idealformediumpowerapplicationandswitching •Ascomplementarytype,thePNPtransistor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BC849C	文件：857.31 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC849C	文件：546.55 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC849C	文件：301.49 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandAFamplifierapplications. ♦Especiallysuitedforautomaticinsertionin thick-andthin-filmcircuits. ♦Thesetransistorsaresubdividedintothree groupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.The typ	GE GE Industrial Company	GE
BC849C	文件：1.33877 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC849C	文件：358.01 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BC849C	文件：144.84 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC849C	文件：356.32 Kbytes Page：9 Pages	NPNgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification. DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC859andBC860.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BC849BTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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