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BC848S	文件：165.04 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeDualNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC848S-A	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC848S-B	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC848S-C	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC848T	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC848U	文件：268.17 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=30V •ComplementarypairwithBC858U	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC848U	文件：82.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=30V •ComplementarypairwithBC858U	AUK AUK corp	AUK
BC848U	文件：290.07 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC848UF	文件：82.79 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=30V •ComplementarypairwithBC858UF	AUK AUK corp	AUK
BC848UF	文件：179.1 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

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详细参数

型号：
BC848CW-G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 30V, .1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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