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BC848BW	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC848BW	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC848BW	文件：47.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPTypes:BC856W–BC858W •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC848BW	文件：149.32 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEOminimumis30V(IC=1mA) 2)ComplementstheBC858B/BC858BW.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BC848BW	文件：903.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC848BW	文件：183.85 Kbytes Page：19 Pages	NPNSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC848BW	文件：671.73 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC848BW	文件：98.77 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC848BW	文件：794.27 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Features •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V) •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC848BW	文件：2.86653 Mbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

详细参数

型号：
BC848BMTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BC848B-PANJIT	PANJIT	23+		12000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市一线半导体有限公司	BC848BPDW	恩XP	24+	SC-88SOT-363	9000		询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	BC848BPDW1T1	ON/安森美	23+	SOT-363	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	BC848BPDW1T1	ON/安森美	24+	NA/	20	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	BC848BPDW1T1	Infineon/英飞凌	24+	SOT-23	78000	公司现货库存,支持实单	询价

更多BC848BMTF_Q供应商更新时间2025-7-26 11:10:00

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