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BC848ARF	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW, NPN Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
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BC848AS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC848AT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC848AW	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC848AW	文件：47.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryPNPTypes:BC856W–BC858W •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101Standardsfor	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC848AW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC848AW	文件：185.32 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC848AW	文件：198.76 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC848AW	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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