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BC848B	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC848B	文件：105.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNSmallSignalTransistor310mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •PowerDissipation:0.225W(Tamb=25°C)(Note1) •CollectorCurrent:0.1A •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC848B	文件：277.22 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon MoistureSensitivityLevel:1 ESDRating-HumanBodyModel:>4000V -MachineModel:>400V	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC848B	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
BC848B	文件：126.96 Kbytes Page：3 Pages	0.2WattsNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ♦Epitaxialplanardieconstruction ♦Surfacedevicetypemounting ♦Moisturesensitivitylevel1 ♦MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ♦PbfreeversionandRoHScompliant ♦Greencompound(Halogenfree)withsuffixGonpackingcodeandprefixGondat	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC848B	文件：504.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC848B	文件：164.92 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforSwitchingandAmplifierApplications	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
BC848B	文件：202.39 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES •Highcurrentgain. •ExcellenthFElinearity. •Lownoisebetween30Hzand15kHz. •ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC848B	文件：41.67 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForswitchingandAFamplifierapplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC848B	文件：307.88 Kbytes Page：3 Pages	BC846A FEATURES •Collectcurrent:0.1A •GeneralPurposeTransistorNPNType •RoHScompliantproduct •OperatingTemp.:-55OC~+150OC	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

产品属性

产品编号：
BC848A-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

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更多BC848A-TP供应商更新时间2025-7-12 16:30:00

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