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BC847S	文件：284.94 Kbytes Page：3 Pages	Multi-ChipTransistor Features Powerdissipation PCM:0.3W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC847S	文件：852.17 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC847S	文件：42.39 Kbytes Page：1 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Features ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847S	文件：587.76 Kbytes Page：3 Pages	DualGeneralPurposeTransistor DualGeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC847S	文件：57.7 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC847S	文件：73.89 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features Twotransistorsinonepackage GeneralPurpose ComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,Amplification Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandreeled3000/7“ Weightapprox.0.01g Case	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC847S	文件：51.51 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847S	文件：1.98179 Mbytes Page：6 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features Highcurrentgain Excellenthrelinearity Lownoise	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BC847S	文件：156.12 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC847S	文件：101.76 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC847S-A	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC847S-B	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC847S-C	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC847T	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847T	文件：39.82 Kbytes Page：1 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847T	文件：46.98 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinanSC-75plasticpackage. PNPcomplements:BC856TandBC857T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,especially inportablecommunicationequipment •Electronicdataproce	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847T	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC847T	文件：2.38735 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BC847T	文件：131.51 Kbytes Page：18 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847T	文件：104.72 Kbytes Page：15 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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详细参数

型号：
BC847CT T/R
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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