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BC847BS	文件：199.53 Kbytes Page：3 Pages	NPNMulti-chipGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-chipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsatcollectorcurrentsto200mA.SourcedfromProcess07.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC847BS	文件：111.34 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER ■DESCRIPTION TheUTCBC847BSisadualNPNtransistors;itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomershighDCcurrentgain,lowpowerdissipationandlowcollector-emittersaturationvoltage. TheUTCBC847BSissuitableforahighgain,lownoiseandgeneralpurposeamplifier. ■FEATU	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC847BS	文件：323.27 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BC847BS	文件：697.91 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●DualNPNsmallsignalsurfacemounttransistor.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC847BS	文件：617.47 Kbytes Page：5 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor Features ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●SurfacemountpackageideallySuitedforAutomaticInsertion ●NPN MechanicalData ●Package:SOT-363 ●Terminals:Tinplatedleads,solderableperJ-STD-002andJESD22-B102 ●Marking:1C	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC847BS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC847BS	文件：601.62 Kbytes Page：2 Pages	IdeallySuitedforAutomaticInsertionforSwitchingandAFAmplifierApllication Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC847BS	文件：239.26 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPN/NPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BS	文件：1.23686 Mbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors APPLICATION Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC847BS-AU	文件：239.8 Kbytes Page：7 Pages	NPNGENERALPURPOSEDUALTRANSISTOR VOLTAGE45VoltsPOWER150mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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