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BC847BPDW1T1G中文资料Dual General Purpose Transistors(NPN/PNP Duals)数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号：
BC847BPDW1T1G
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual Complementary
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2430+ |
SOT363 |
8540 |
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ON |
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SOT363 |
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23+ |
SOT-363 |
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ONSEMI |
23+ |
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ON(安森美) |
25+ |
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8000 |
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ON |
23+ |
SOT363 |
20000 |
询价 |
