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BC847BM3中文资料Low and Medium Voltage NPN Bipolar Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BC847BM3

参数属性

BC847BM3 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT723

功能描述

Low and Medium Voltage NPN Bipolar Transistor
TRANS NPN 45V 0.1A SOT723

封装外壳

SOT-723

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:10:00

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BC847BM3规格书详情

描述 Description

The Low and Medium Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT723 package, which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

• This is a PbFree Device

简介

BC847BM3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC847BM3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BC847BM3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.25

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :45

  • VCBO (V)

    :50

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.7

  • VBE(on) (V)

    :0.66

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :450

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.26

  • Package Type

    :SOT-723-3

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