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BC847BDW1数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

BC847BDW1

功能描述

Dual NPN Bipolar Transistor

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:39:00

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BC847BDW1规格书详情

描述 Description

The Dual NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-363/SC-88, which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

• Device Marking:BC846BDW1T1 = 1BBC847BDW1T1 = 1FBC847CDW1T1 = 1GBC848BDW1T1 = 1KBC848CDW1T1 = 1L
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable

技术参数

  • 制造商编号

    :BC847BDW1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :Dual NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.25

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :45

  • VCBO (V)

    :50

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :0.7

  • VBE(on) (V)

    :0.66

  • hFE Min

    :200

  • hFE Max

    :450

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.38

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

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