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BC847BFZ-7B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BC847BFZ-7B

参数属性

BC847BFZ-7B 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN

功能描述

45V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN DFN0606
TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN

丝印标识

1F

封装外壳

X2-DFN0606-3 / 3-XFDFN

文件大小

217.01 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-1 23:00:00

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BC847BFZ-7B规格书详情

BC847BFZ-7B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的BC847BFZ-7B晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

BVCEO > 45V

IC = 100mA High Collector Current

PD = 925mW Power Dissipation

0.36mm2 Package Footprint, 40 Smaller than DFN1006

0.4mm Height Package Minimizing Off-Board Profile

Complementary PNP Type BC857BZ

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BC847BFZ-7B

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    X2-DFN0606-3

  • 描述:

    TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN

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