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BC847BDW1T1规格书详情
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications.
• Device Marking:
BC846BDW1T1 = 1B
BC847BDW1T1 = 1F
BC848CDW1T1 = 1L
特性 Features
• Pb−Free Package is Available
产品属性
- 型号:
BC847BDW1T1
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual NPN
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
2869 |
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ON/安森美 |
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SOT-363 |
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1983 |
只做原装正品 |
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ON(安森美) |
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标准封装 |
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ON |
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NA |
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ON/安森美 |
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SOT-363 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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