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BC847A-G	文件：156.63 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistor Features -PowerdissipationPCM:0.20W(@TA=25°C) -CollectorcurrentICM:0.1A -Collector-basevoltageVCBO:BC846=80VBC847=50VBC848=30V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,TSTG=-65to+150°C	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC847AL	文件：888.85 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNSILICON DESCRIPTION The BC846AL/BLA847848AL/CLare availableinSOT23package. FEATURES ⚫Highcurrentgain ⚫ExcellenthFElinearity ⚫Lownoisebetween30Hzand15kHz ⚫ForAFinputstagesanddriverapplications ⚫AvailableinSOT23package APPLICATIONS ⚫Ge	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC847AM	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847AM	文件：104.72 Kbytes Page：15 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC847AM	文件：131.51 Kbytes Page：18 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC847AM	文件：104.72 Kbytes Page：15 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC847AM	文件：228.51 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847AMB	文件：349.24 Kbytes Page：14 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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BC847AMB	文件：1.00773 Mbytes Page：14 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits LeadlessultrasmallSMDplastic package PowerdissipationcomparabletoSOT23 Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BC847A-G
功能描述：
射频MOSFET小信号晶体管 6V, 10uA
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Dual Dual Gate
晶体管极性：
N-Channel 电阻汲极/源极
汲极/源极击穿电压：
6 V
闸/源击穿电压：
6 V
漏极连续电流：
30 mA
功率耗散：
180 mW
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-88
封装：
Reel

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更多BC847A-G供应商更新时间2025-5-20 13:30:00

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