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BC846U	文件：268.18 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •HighVoltage:VCEO=55V •ComplementarypairwithBC856U	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC846U	文件：268.18 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC846U	文件：843.23 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC846U	文件：290.07 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC846UF	文件：87.13 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor(GeneralpurposeapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=55V •ComplementarypairwithBC856UF	AUK AUK corp	AUK
BC846UF	文件：179.47 Kbytes Page：3 Pages	Generalpurposeapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC846UPN	文件：151.07 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconAFTransistorArray NPN/PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstageanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP transistorinonepackage •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC846V	文件：450.11 Kbytes Page：6 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC846W	文件：133.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ForAFinputstagesanddriverapplications. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC846W	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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