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BC846F	文件：279.5 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •Highvoltage:VCEO=55V •ComplementarypairwithBC856F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC846F	文件：51.75 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. PNPcomplements:BC856F,BC857FandBC858Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC846F	文件：279.5 Kbytes Page：4 Pages	Generalpurposeapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC846G	文件：848.96 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC846P	文件：148.29 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC846PN	文件：68.14 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPN/PNPSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP Transistorsinonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC846PN	文件：59.88 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconAFTransistorArray NPN/PNPSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstageanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedNPN/PNP transistorinonepackage •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC846PN	文件：1.51451 Mbytes Page：6 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialDieConstruction TwoisolatedNPN/PNP(BC846W+BC856W)Transistorsinonepackage	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC846-Q	文件：222.98 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Twodifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846S	文件：40.72 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

详细参数

型号：
BC846CMTF_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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