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BC846S	文件：510.95 Kbytes Page：2 Pages	IdeallySuitedforAutomaticInsertionforSwitchingandAFAmplifierApllication •Powerdissipation-310mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC846S	文件：2.99319 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNNPN) DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●Twotransistorsinonepackage ●Reducesnumberofcomponentsandboardspace ●Nomutualinterferencebetweenthetransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC846S	文件：372.83 Kbytes Page：4 Pages	DualNPNSmallSignalTransistor200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC846S	文件：843.23 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconAFTransistorArrays NPNSiliconAFTransistorArrays •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •BC846S/U,BC847S:Fororientationinreelsee packageinfo	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC846S	文件：159.8 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC846S	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC846S	文件：695.99 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Highcurrentgain. ●ExcellenthFElinearity. ●Lownoisebetween30Hzand15kHz. ●ForAFinputstagesanddriverapplications. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC846S	文件：233.53 Kbytes Page：9 Pages	NPNgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846S	文件：1.985 Mbytes Page：6 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors Features Highcurrentgain Excellenthrelinearity Lownoise	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BC846S-A	文件：277.78 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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