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BC846A-G	文件：156.63 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistor Features -PowerdissipationPCM:0.20W(@TA=25°C) -CollectorcurrentICM:0.1A -Collector-basevoltageVCBO:BC846=80VBC847=50VBC848=30V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,TSTG=-65to+150°C	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC846A-G	文件：156.63 Kbytes Page：5 Pages	RoHS Device	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC846AL	文件：888.85 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNSILICON DESCRIPTION The BC846AL/BLA847848AL/CLare availableinSOT23package. FEATURES ⚫Highcurrentgain ⚫ExcellenthFElinearity ⚫Lownoisebetween30Hzand15kHz ⚫ForAFinputstagesanddriverapplications ⚫AvailableinSOT23package APPLICATIONS ⚫Ge	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC846AMTF	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC846APN	文件：138.75 Kbytes Page：5 Pages	DUALSURFACEMOUNTNPN/PNPTRANSISTORS(COMPLIMENTARY) Thisdevicecontainstwoelectrically-isolatedcomplimentlypair(NPNandPNP)general-purpose transisotrs.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium VOLTAGE65VoltsCURRENT225mWatts FEATURES •Electrically-IsolatedComplimentaryTransistorPairs •In	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC846AQ	文件：253.45 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC846A-Q	文件：222.98 Kbytes Page：11 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Twodifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846AQB	文件：229.4 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846AQB	文件：233.1 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC846AQB-Q	文件：230.09 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BC846A-G
功能描述：
射频MOSFET小信号晶体管 SMALL SIGNAL TRANS
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Dual Dual Gate
晶体管极性：
N-Channel 电阻汲极/源极
汲极/源极击穿电压：
6 V
闸/源击穿电压：
6 V
漏极连续电流：
30 mA
功率耗散：
180 mW
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-88
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC846A-G供应商更新时间2025-5-25 10:34:00

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