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BC817UPN	文件：530.37 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC817V	文件：414.05 Kbytes Page：4 Pages	P/NsuffixVmeansAEC-Q101qualified,e.g:BC817VP/NsuffixVmeansHalogen-free	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BC817W	文件：174.52 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors Features GeneralPurposeThreecurrentgaingroupsComplianttoRoHS,REACH,ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,Switching,AmplificationCommercialgradeSuffix-Q:AEC-Q101compliant1)Suffix-AQ:inAEC-Q101qualification1) MechanicalData1) Tapedan	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC817W	文件：779.33 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistorEpitaxialPlanarTransistor Description TheBC817WisdesignedforswitchingandAFamplifierapplication,suitablefordriverstoragesandlowpoweroutputstorages. Features ForGeneralAFAppliacations HighCollectorCurrent HighCurrentGain LowCollector-EmitterSaturationVoltage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC817W	文件：264.18 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsforgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC817W	文件：41.28 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ComplementarytoBC807W.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC817W	文件：49.62 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:BC807W. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC817W	文件：47.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807W,BC808W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC817W	文件：49.11 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor ■Features ●ForGeneralAFApplications ●HighCollectorCurrent ●HighCurrentGain ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage ●ComplementarytoBC807W	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC817W	文件：225.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNgeneralpurposetransistor FEATURES ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage. ●Complementarytypes:BC807W,BC808W. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplificationapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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