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BC817	文件：188.12 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors •Powerdissipation310mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC817	文件：462.17 Kbytes Page：3 Pages	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS VOLTAGE45VoltsPOWER225mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=500mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC817	文件：40.49 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon AF Transistors Features ●ForgeneralAFapplications. ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC817	文件：185.06 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitching,AFdriverandamplifierapplication, Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups –16,-25,-40accordingtotheircurrentgain. Ascomplementarytypes,thePNPtransistors BC807andBC808arerecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC817	文件：311.1 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807(PNP)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC817	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ■DESCRIPTION TheUTCBC817isdesignedforgeneralpurposemediumpoweramplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto1.2A.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC817	文件：228.14 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designedforuseindriveandoutputstagesofaudioamplifiers.	DCCOM Dc Components	DCCOM
BC817	文件：260.35 Kbytes Page：4 Pages	High current application Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageandlowpoweroutputstages •ComplementarypairwithBC807	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC817	文件：184.45 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors BC817-16(NPN) BC817-25(NPN) BC817-40(NPN) FEATURES ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807(PNP)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BC817	文件：405.66 Kbytes Page：4 Pages	Surface mount switching diode Features •ForgeneralAFapplication. •ComplementaryPNPtypeavailableBC807. •Highcollectorcurrent,highcurrentgain. •Lowcollector-emittersaturationvoltage. •RoHScompliantpackage Applications •Generalpurposemediumpoweramplifier. •Switchingrequiringcollectorcurrents	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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详细参数

型号：
BC817
功能描述：
两极晶体管 - BJT Gen Pur Trans NPN,0.8A,45V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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