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BC807U	文件：45.4 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistorArray PNPSiliconTransistorArray •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistors withgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC807U	文件：74.95 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC807U	文件：528.31 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC807U	文件：1.0742 Mbytes Page：3 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURE ●ForAFinputstagesanddriveapplications ●HighhFE ●LowVCE(sat) ●Tow(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC807U	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807U	文件：379.81 Kbytes Page：3 Pages	DualPNPTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ForAFinputstagesanddriveapplications •HighhFE •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityL	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC807U-A	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807U-B	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807U-C	文件：278.78 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon FEATURE ●CollectorcurrentcapabilityIC=-500mA. ●Collector-emittervoltageVCEO(max)=-45V. ●Generalpurposeswitchingandamplification. ●NPNcomplement:BC817USeries. ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirem	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BC807W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation225mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandr	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec

详细参数

型号：
BC807-T
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 0.8A 45V Gen Pur
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC807-T供应商更新时间2025-5-23 10:01:00

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