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BC807-25L	文件：187.06 Kbytes Page：10 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：187.06 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC807-25L	文件：144.69 Kbytes Page：10 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：144.69 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC807-25L	文件：251.22 Kbytes Page：16 Pages	丝印：HM；Package：SOT23；45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors Features and benefits • High current • Three current gain selections • AEC-Q101 qualified 文件：251.22 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BC807-25LT1	文件：51.52 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：51.52 Kbytes 页数：2 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BC807-25LT1	文件：90.58 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：90.58 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BC807-25LT1	文件：59.24 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：59.24 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC807-25LT1G	文件：124.39 Kbytes Page：10 Pages	丝印：5B1；Package：SOT-23；General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：124.39 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC807-25LT1G	文件：144.69 Kbytes Page：10 Pages	丝印：5B1；Package：SOT-23；General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：144.69 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC807-25LT1G	文件：59.24 Kbytes Page：4 Pages	丝印：5B1；Package：SOT-23；General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：59.24 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC807-25LT3	文件：59.24 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：59.24 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.7
IC Cont. (A)：
0.5
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.2
hFE Min：
160
hFE Max：
400
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.225
Package Type：
SOT-23-3

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