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BC807-16RFG	文件：153.31 Kbytes Page：5 Pages	0.3 Watts, PNP Plastic-Encasulate Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC807-16	文件：47.32 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC817. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC807-16	文件：303.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features 310mWPowerDissipation IdeallySuitedforAutomaticInsertion EpitaxialPlanarDieConstruction ForSwitching,AFDriverandAmplifier Applications ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817)	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC807-16	文件：131.99 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrentHighcurrentgain) ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC817,BC818(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC807-16	文件：72.5 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingandAmplifierApplications SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC817/BC818	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC807-16	文件：59.93 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817) ●ForswitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC807-16	文件：303.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features 310mWPowerDissipation IdeallySuitedforAutomaticInsertion EpitaxialPlanarDieConstruction ForSwitching,AFDriverandAmplifierApplications ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817)	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BC807-16	文件：214.65 Kbytes Page：7 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC817/BC818	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC807-16	文件：322.28 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistorPNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC807-16	文件：311.01 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC817) ●ForswitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BC807-16	文件：481.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45Volts POWER225mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=500mA •Pbfreeproductareavailable:99Snabovecanmeet RoHSenvironmentsubstancedirectiverequest MECHANICALDATA Case:SOT-2	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC807-16	文件：410.78 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion. ComplementaryNPNtypeavailableBC817 Epitaxialplanardieconstruction. APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcurrentsto1.0A.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC807-16	文件：343.5 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC807-16	文件：111.91 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC807-16	文件：274.99 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ·Ldeallysuitedforautomaticinsertion ·epitaxialplanardieconstruction ·complementaryNPNtypeavailable(BC817)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC807-16	文件：110.56 Kbytes Page：3 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC807-16	文件：424.78 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion Epitaxialplanardieconstruction ComplementarytoBC817(NPNType) MARKING BC807-16:5A; BC807-25:5B; BC807-40:5C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC807-16	文件：340.11 Kbytes Page：2 Pages	0.3Walts,PNPPlastic-EncasulateTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC807-16	文件：201.82 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconGeneralPurposeTransistors Features •Capableof0.3WattsofPowerDissipation. •Collector-current0.5A •Collector-baseVoltage50V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55OCto+150OC •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC807-16	文件：175.59 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation310mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec

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更多BC807-16R供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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