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BC638	文件：721.21 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES High current transistors 文件：721.21 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC638	文件：97.76 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium Power Transistors for audio and video amplifiers 文件：97.76 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BC638	文件：843.22 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. Features High current, Low voltage. Applications Driver stages of audio or video amplifiers applications. 文件：843.22 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BC638	文件：424.4 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor 文件：424.4 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC638	文件：56.7 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors 文件：56.7 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC638	文件：65.33 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 PACKAGE 文件：65.33 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
BC638	文件：407.3 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistors 文件：407.3 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
BC638	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVE TRANZISTORY 文件：1.9422 Mbytes 页数：14 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC638	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor Silicon Plastic PNP The PNP Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications. • Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC638	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 0.5A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BC638(-6...-10)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC488,BC527,3CK10D,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.8

产品属性

产品编号：
BC638
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS PNP 60V 0.5A TO92

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