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FDC636P	文件：198.2 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FRJAE-636	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY6POSITION&8POSITIONWITHORWITHOUTFERRITESSINGLEPORTHIGHTEMPMATERIAL	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
FSWN636	文件：179 Kbytes Page：2 Pages	outsideplantsinglearmor-singlejacketcablewithupto12fibersub-units	PANDUITPanduit Corp Panduit公司Panduit科技有限公司	PANDUIT
HSM636	文件：228.72 Kbytes Page：2 Pages	5.0VSURFACEMOUNT11x6.35mmHCMOSCLOCKOSCILLATOR	Connor-Winfield Connor-Winfield Corporation	Connor-Winfield
IRF636	文件：66.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IW636	文件：393.78 Kbytes Page：7 Pages	AC/DCSecondary-SideControllerforQualcomm	Dialog Dialog Semiconductor	Dialog
IW636	文件：556.7 Kbytes Page：7 Pages	AC/DCSecondary-SideControllerforQualcomm®QuickChargeTM3.0USBInterface 1Description TheiW636isanAC/DCsecondary-sidecontrollerforUSBinterfacesupportingQualcommQuickCharge3.0(QC3.0)technologyandsecondary-to-primarycommunicationprotocol,toenablerapidchargingofQC3.0/QC2.0-enabled mobiledevices(MDs).TheiW636residesonthesecondarysideo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
KC636	文件：258.779 Kbytes Page：1 Pages	(KC1xx)Transistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
KSA636	文件：244.43 Kbytes Page：7 Pages	PNP(LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KSHS636ATS	文件：73.65 Kbytes Page：1 Pages	TactileSwitches	HOKURIKUHOKURIKU ELECTRIC INDUSTRY CO.,LTD 北陆电气工业日本北陆电气工业柱式会社	HOKURIKU

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产品属性

产品编号：
BC636BU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 45V 1A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC636BU供应商更新时间2025-5-25 15:01:00

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