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FCX558TA	文件：297.79 Kbytes Page：6 Pages	400VPNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT89 Features ●BVCEO>-400V ●IC=-200mAHighContinuousCurrent ●ICM=-500mAPeakPulseCurrent ●ExcellenthFECharacteristicsupto-100mA ●LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT558	文件：127.15 Kbytes Page：2 Pages	SOT23PNPSILICONPLANAR Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT558	文件：122.94 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES ExcellenthFEcharacteristicsatIC=100mA Lowsaturationvoltages COMPLEMENTARYTYPE-FMMT458 PARTMARKINGDETAIL-558	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT558	文件：406.04 Kbytes Page：7 Pages	400VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT558QTA	文件：406.04 Kbytes Page：7 Pages	400VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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FMMT558TA	文件：406.04 Kbytes Page：7 Pages	400VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT558TC	文件：406.04 Kbytes Page：7 Pages	400VPNPHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT23 Features •BVCEO>-400V •IC=-150mAhighContinuousCollectorCurrent •ICM=-500mAPeakPulseCurrent •500mWPowerDissipation •ExcellenthFECharacteristicsUpTo-100mA •ComplementaryNPNType:FMMT458 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Note1&2) •Halogenand	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT558	文件：121.86 Kbytes Page：2 Pages	SOT223PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features •BVCEO>-400V •IC=-200mAHighContinuousCurrent •ExcellenthFECharacteristicsupto-100mA •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
BC558CTA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC558CTA_Q供应商更新时间2025-5-24 13:58:00

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