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BC558C	文件：213.33 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS PNPSiliconTransistors	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC558C	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors GeneralPurposePNPTransistors •Powerdissipation500mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC558C	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC558C	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNP General Purpose Transistor PNPGeneralPurposeTransistor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC558C	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.1A Collector-basevoltage VCBO:BC556-80V BC557-50V BC558-30V Operatingandstoragejunctiontemp	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BC558C	文件：358.64 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL CDIL	CDIL
BC558C	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose PNP Transistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC558C	文件：92 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC558C	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC558C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC558CBU	文件：142.89 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features •SwitchingandAmplifier •High-Voltage:BC556,VCEO=-65V •Low-Noise:BC559,BC560 •ComplementtoBC546,BC547,BC548,BC549,andBC550	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC558CRL1	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC558CZL1	文件：107.37 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC558CZL1	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC558CZL1G	文件：77.87 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistors PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC558C-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A TO92	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BC558C-BP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 0.1A TO92	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
558	文件：95.62 Kbytes Page：4 Pages	ELECTRONICBREAKERLESSCONVERSIONKIT	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.	MALLORY
558	文件：67.14 Kbytes Page：2 Pages	Self-StrippingElectricalTapConnector558	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
558B	文件：690.11 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •150°CJunctionTemperature •ThroughHolePackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Marking:TypeNumber •Halogenfreeavailableuponrequest	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC

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产品属性

产品编号：
BC558C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3

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