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BC558	文件：144.86 Kbytes Page：2 Pages	Si-Epitaxial PlanarTransistors General Purpose PNP Transistors • Power dissipation 500 mW • Plastic case TO-92 • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack 文件：144.86 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
BC558	文件：690.11 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • 150°C Junction Temperature • Through Hole Package • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Marking:Type Number • Halogen free available upon request 文件：690.11 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
BC558	文件：328.24 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • 150°C Junction Temperature • Through Hole Package • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Marking:Type Number • Halogen free available upon request 文件：328.24 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
BC558	文件：370.43 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF applications??? PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF applications. 文件：370.43 Kbytes 页数：5 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
BC558	文件：2.17097 Mbytes Page：5 Pages	PNP General Purpose Transistor PNP General Purpose Transistor 文件：2.17097 Mbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
BC558	文件：253.27 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Transistors (PNP) REATURES ♦ PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and AF amplifier applications. ♦ These transistors are subdivided into three groups A, B and C according to their current gain. The type BC556 is avail able in groups A and B, however, the types BC557 and BC558 文件：253.27 Kbytes 页数：6 Pages	GE	GE
BC558	文件：643.98 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Voltage ● Complement to BC546,BC547,BC548 文件：643.98 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC558	文件：286.49 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：286.49 Kbytes 页数：4 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC558	文件：313.16 Kbytes Page：3 Pages	Elektronische Bauelemente FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.1 A Collector-base voltage VCBO: BC556 -80 V BC557 -50 V BC558 -30 V Operating and storage junction temp 文件：313.16 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC558	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications These transistors are subdivided into three groups A, B and C according to their current gain. 文件：139.18 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC

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晶体管资料

型号：
BC558(VI,A,B,C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC178,BC205,BC213,BC252,BC308,BC513,3CG120B,
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
β=900
图片代号：
A-23
vtest：
30
htest：
150000000
atest：
0.2
wtest：
0.5

产品属性

产品编号：
BC558
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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