BC556B中文资料100 mA, 65 V PNP Bipolar Junction Transistor - Epitaxial Silicon数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
BC556B |
| 参数属性 | BC556B 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 长体；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 65V 0.1A TO92 |
| 功能描述 | 100 mA, 65 V PNP Bipolar Junction Transistor - Epitaxial Silicon |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 长体 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 11:10:00 |
| 人工找货 | BC556B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC556B规格书详情
描述 Description
The 100 mA, 65 V PNP Bipolar Junction Transistor is designed for use in amplifier and switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.
特性 Features
•High Voltage: BC556 VCEO= -65V
• -
•Low Noise: BC559,BC560
•Complement to BC546...BC550Switching and Amplifier
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• -
简介
BC556B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的BC556B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
BC556B
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
280MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS PNP 65V 0.1A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO-92-3 |
42752 |
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询价 | ||
CJ |
19+ |
TO92 |
757 |
原装 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
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2016+ |
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