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技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25@0.5mA@10mA
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum DC Collector Current：
0.1A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
500mW
Maximum Transition Frequency：
300(Typ)MHz
Type：
NPN

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